[发明专利]锚固的互连件有效
申请号: | 201480076362.7 | 申请日: | 2014-03-28 |
公开(公告)号: | CN106030786B | 公开(公告)日: | 2019-09-10 |
发明(设计)人: | J·康;H·科塔里;C·C·蒙塔鲁;A·W·杨 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L21/60 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈松涛;韩宏 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 实施例包括一种半导体结构,包括:后端部分,该后端部分包括位于底部金属层与顶部金属层之间的多个金属层;顶部金属层包括具有第一侧壁表面和第二侧壁表面以及使侧壁表面彼此耦合的顶部表面的顶部金属层部分,其中,第一侧壁表面与第二侧壁表面相对;绝缘体层,该绝缘体层直接接触顶部表面;以及过孔,该过孔将接触凸块耦合至顶部金属层部分;其中,与耦合至后端部分的衬底正交的第一垂直轴与接触凸块、氮化物层、过孔、和顶部金属层部分相交。本文中描述了其它实施例。 | ||
搜索关键词: | 锚固 互连 | ||
【主权项】:
1.一种半导体结构,包括:前端部分,所述前端部分包括位于衬底上的器件层;后端部分,所述后端部分包括底部金属层、顶部金属层、以及位于所述底部金属层与所述顶部金属层之间的多个金属层;所述顶部金属层包括具有第一侧壁表面和第二侧壁表面以及使所述侧壁表面彼此耦合的顶部表面的顶部金属层部分,其中,所述第一侧壁表面与所述第二侧壁表面相对;氮化物层,所述氮化物层在第一位置处直接接触与所述第一侧壁表面直接相邻的所述顶部表面,并在第二位置处直接接触与所述第二侧壁表面直接相邻的所述顶部表面;所述氮化物层上的电介质层,所述电介质层包括在固化期间具有百分之十五或更少的收缩的低收缩聚合物;以及接触凸块和将所述接触凸块耦合至所述顶部金属层部分的过孔;其中,(a)所述后端部分在所述底部金属层与所述前端部分的顶部之间不包括金属层;(b)所述后端部分在所述顶部金属层与所述后端部分的顶部之间不包括金属层;并且(c)所述过孔在所述第一位置和所述第二位置两者处直接接触位于所述氮化物层正下方的所述顶部金属层部分。
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