[发明专利]6F2非易失性存储器位单元有效
| 申请号： | 201480076423.X | 申请日： | 2014-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN106104696B | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 王奕 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种装置包括：存储器单元阵列，其被布置成栅格，所述栅格由在相对于彼此总体上正交的取向上的字线和位线来限定，存储器单元包括电阻存储器部件和存取晶体管，其中，所述存取晶体管包括扩散区，扩散区被设置为相对于相关联的字线成锐角。一种方法包括：蚀刻基板以形成多个鳍状物，每个鳍状物包括具有长度尺寸的主体，主体包括总体上平行于彼此并通过成角度的沟道区偏移的多个第一结区和多个第二结区，成角度的沟道区在长度尺寸上使第一结区的端部从第二结区的开始部分移位；去除间隔体材料；以及在多个鳍状物中的每个鳍状物的沟道区上引入栅极电极。 | ||
| 搜索关键词： | f2 非易失性存储器 单元 | ||
【主权项】：
1.一种包括存储器单元阵列的装置：所述存储器单元阵列被布置成栅格，所述栅格由在相对于彼此总体上正交的取向上的字线和位线来限定，存储器单元阵列的单元包括非易失性存储器部件和存取晶体管，其中，所述存取晶体管包括扩散区，其中，所述扩散区的部分被设置为相对于相关联的字线成锐角，其中，所述单元还包括柱状接触部和设置在所述存储器部件的底部电极与所述柱状接触部之间的再分布层，所述柱状接触部耦合到所述存储器部件和所述存取晶体管的所述扩散区，并且其中，所述单元中的所述存储器部件和所述柱状接触部的相对位置通过所述再分布层而偏移。
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