[发明专利]用于半导体器件的限定外延区域以及制造具有限定外延区域的半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201480076471.9 | 申请日： | 2014-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN106165102B | 公开（公告）日： | 2020-07-21 |
| 发明（设计）人： | S·S·廖;M·L·哈藤多夫;T·加尼 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/20 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;韩宏 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了用于半导体器件的限定外延区域以及制造具有限定外延区域的半导体器件的方法。例如，一种半导体结构，包括多个平行的半导体鳍部，该多个平行的半导体鳍部被布置在半导体衬底上方并与半导体衬底连续。隔离结构被布置在半导体衬底上方并与多个平行的半导体鳍部中的每个半导体鳍部的下部部分相邻。多个平行的半导体鳍部中的每个半导体鳍部的上部部分突出超过隔离结构的最高表面。外延源极区和漏极区被布置在多个平行的半导体鳍部中的每个半导体鳍部中并与半导体鳍部的上部部分中的沟道区相邻。外延源极区和漏极区不在隔离结构上方横向地延伸。该半导体结构还包括一个或多个栅极电极，每个栅极电极被布置在多个平行的半导体鳍部中的一个或多个半导体鳍部的沟道区上方。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体器件 限定 外延 区域 以及 制造 具有 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：多个平行的半导体鳍部，所述多个平行的半导体鳍部被布置在半导体衬底上方并与所述半导体衬底连续；隔离结构，所述隔离结构被布置在所述半导体衬底上方并与所述多个平行的半导体鳍部中的每个半导体鳍部的下部部分相邻，其中，所述多个平行的半导体鳍部中的每个半导体鳍部的上部部分突出超过所述隔离结构的最高表面；外延源极区和漏极区，所述外延源极区和漏极区被布置在所述多个平行的半导体鳍部中的每个半导体鳍部中并与所述半导体鳍部的所述上部部分中的沟道区相邻，其中，所述外延源极区和漏极区不在所述隔离结构上方横向地延伸；以及一个或多个栅极电极，每个栅极电极被布置在所述多个平行的半导体鳍部中的一个或多个半导体鳍部的所述沟道区上方。
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