[发明专利]用于形成具有环形接触部的自旋转移扭矩存储器(STTM)元件的技术

摘要

公开了用于形成具有环形接触部以减小临界电流要求的自旋转移扭矩存储器(STTM)元件的技术。所述技术降低了对给定磁性隧道结(MTJ)的临界电流要求，因为环形接触部减小了接触尺寸并增大了局部电流密度，从而减小了转换MTJ的自由磁性层的方向所需的电流。在一些情况下，环形接触部包围防止电流通过的绝缘体层的至少一部分。在这样的情况下，电流穿过环形接触部并且在绝缘体层周围流动以在流经自由磁性层之前增大局部电流密度。绝缘体层可以包括电介质材料，并且在一些情况下是隧道材料，例如氧化镁(MgO)。在一些情况下，对于给定的MTJ，实现了至少10％的临界电流减小。

主权项

1.一种集成电路，包括：固定磁性层；自由磁性层，所述自由磁性层位于所述固定磁性层上方；隧穿阻挡层，所述隧穿阻挡层位于所述固定磁性层与所述自由磁性层之间；绝缘体层，所述绝缘体层位于所述自由磁性层上方；以及导电环形接触部，所述导电环形接触部包围所述绝缘体层的至少一部分并且电连接到所述自由磁性层，其中，所述绝缘体层包括不在所述导电环形接触部与所述自由磁性层之间的第一部分和在所述导电环形接触部与所述自由磁性层之间的较薄的第二部分。