[发明专利]表面平坦化系统和方法

摘要

提出了一种表面平坦化系统。所述系统包括：外部能源，用于在处理区域内生成局部能量分布；以及控制单元，用于操作所述外部能源，以由所述局部能量分布在所述处理区域内产生预定的温度模式，使得所述处理区域的不同位置经受不同的温度。假设与蚀刻材料成分相互作用的样品(例如，半导体晶片)位于所述处理区域内时，所述样品的表面的不同位置处的温度模式通过所述蚀刻材料成分产生不同的材料去除速率(不同的蚀刻速率)。

主权项

1.一种用于处理在生产线上处理的样品的处理系统，所述处理系统包括：粗糙材料去除系统，被配置为通过将至少一个粗糙材料去除处理应用于样品的表面来去除所述样品的表面的大部分块状材料，导致沿着所述样品的表面的剩余层材料分布；表面平坦化系统，被配置为通过对所述样品的表面施加选择性湿法蚀刻处理对由所述粗糙材料去除系统处理后的所述样品的表面执行剩余层材料的精细材料去除，所述表面平坦化系统包括支撑单元，用于支撑所述样品，使得所述样品的整个表面与蚀刻溶液接触；外部能源，被配置为并能操作为在所述样品的表面内生成局部能量分布；以及控制单元，被配置为根据在所述样品上的层的厚度数据确定蚀刻图数据，并且生成用于控制所述能源的工作参数的操作数据，以产生用于在所述样品的表面内产生并维持预定温度模式的局部能量分布，从而在所述样品的表面内产生温度依赖性蚀刻图案，直至平坦化处理的结束点；以及度量系统，被配置为执行以下：对所述样品进行测量，所述测量包括施加在由所述粗糙材料去除系统处理之后或在选择性湿法蚀刻期间或以上两者的所述样品上的测量；获得测量数据；根据所述测量数据确定所述在所述样品上的层的厚度数据，并且向所述控制单元提供指示所述在所述样品上的层的厚度数据的处理控制数据，使得能够确定所述蚀刻图数据并生成至所述表面平坦化系统的操作数据。