[发明专利]功率用半导体装置有效
| 申请号： | 201480076678.6 | 申请日： | 2014-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN106062964B | 公开（公告）日： | 2019-07-26 |
| 发明（设计）人： | 古川彰彦;折田昭一;村冈宏记;楢崎敦司;川上刚史;村上裕二 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/28;H01L29/739 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金春实 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 功率用半导体装置包括：第一导电类型的第一基极区域；第二导电类型的第二基极区域；槽部，是以从第二基极区域的表面到达第一基极区域的方式设置的相互平行的至少3个槽部，第一槽部和第三槽部被配置成夹着第二槽部；绝缘膜，覆盖槽部的内壁；导电性的沟槽栅极，填充于绝缘膜上；第一导电类型的发射极区域，在第一槽部与第二槽部之间的第二基极区域中，以与第一槽部相接的方式设置，与发射极电极连接；以及第二导电类型的集电极区域，设置于第一基极区域，埋入于第一、第三槽部的沟槽栅极与栅电极连接，埋入于第二槽部的沟槽栅极与发射极电极连接。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种功率用的半导体装置，通过对栅电极施加的电压控制发射极电极与集电极电极之间的电流，所述功率用的半导体装置的特征在于，包括：第一导电类型的第一基极区域，具有第一主面和与该第一主面对置的第二主面；第二导电类型的第二基极区域，设置于该第一基极区域的第一主面；槽部，该槽部是以从该第二基极区域的表面贯通该第二基极区域而到达该第一基极区域的方式设置的相互平行的至少3个槽部，第一槽部和第三槽部被配置成夹着第二槽部；绝缘膜，覆盖各个该槽部的内壁；导电性的沟槽栅极，填充于该绝缘膜上；第一导电类型的发射极区域，在该第一槽部与该第二槽部之间的该第二基极区域中，以与该第一槽部相接的方式设置该第一导电类型的发射极区域，并且该第一导电类型的发射极区域与该发射极电极电连接；以及第二导电类型的集电极区域，设置于该第一基极区域的第二主面上，在该第二槽部与该第三槽部之间的该第二基极区域中，不形成第一导电类型的发射极区域，埋入于第一槽部以及第三槽部的沟槽栅极与栅电极电连接，埋入于该第二槽部的沟槽栅极与发射极电极电连接。
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