[发明专利]具有聚合物芯的VTFT

摘要

晶体管包括在基底上的聚合物材料柱。覆盖柱的无机材料盖延伸超出柱的边以限定凹形轮廓。保形传导材料栅极层在凹形轮廓内的柱的边上方。保形绝缘材料层在凹形轮廓内的栅极层上。保形半导体材料层在凹形轮廓内的绝缘材料层上。第一电极与在盖上方的半导体层的第一部分接触。第二电极与在基底上方且不在柱上方的半导体层的第二部分接触，并且与在凹形轮廓内的柱的边相邻，以使得当与基底表面正交测量时，第一电极和第二电极之间的距离大于零。

主权项

1.一种薄膜晶体管结构，其包含：基底；在所述基底上的聚合物材料柱，所述柱具有从所述基底延伸离开至顶部的高度尺寸，所述柱具有沿所述高度尺寸的边；在所述柱的顶部的无机材料盖，所述盖覆盖所述柱的顶部，所述盖延伸超出所述柱的边以限定凹形轮廓；在所述凹形轮廓内的所述柱的边上方的保形传导材料栅极层；在所述凹形轮廓内的所述栅极层上的保形绝缘材料层；在所述凹形轮廓内的所述绝缘材料层上的保形半导体材料层；第一电极，其位于与所述盖上方的所述半导体层的第一部分接触；第二电极，其位于与在所述基底上方且不在所述柱上方的所述半导体层的第二部分接触，并且与在所述凹形轮廓内的所述柱的边相邻，以使得当与所述基底表面正交测量时，所述第一电极和第二电极之间的距离大于零，所述第一电极和所述第二电极限定具有在介于所述第一电极和所述第二电极之间的所述半导体层内的沟道的晶体管。