[发明专利]氮化镓晶体的制造方法有效
| 申请号： | 201480077198.1 | 申请日： | 2014-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN106103816B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 佐藤隆;皿山正二;林昌弘;三好直哉;木村千春;和田纯一 | 申请（专利权）人： | 赛奥科思有限公司;住友化学株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B19/04;C30B19/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 宋莉;肖靖泉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种氮化镓晶体的制造方法，其包括：其中通过将氮溶解在包含镓和钠的混合熔体中以生长氮化镓晶体(5)的生长步骤，以及其中使包含镓和钠的合金(51)与使钠离子化的液体(52)反应从而使钠离子和镓(55)从所述合金(51)分离且回收所分离的镓(55)的回收步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 晶体 制造 方法 | ||
【主权项】：
氮化镓晶体的制造方法，所述方法包括：通过将氮溶解在包含镓和钠的混合熔体中而生长氮化镓晶体；和收集通过如下而从包含镓和钠的合金分离的镓：使所述合金与使钠离子化的液体反应，且从所述合金分离钠离子和镓。
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