[发明专利]用于衬底表面处理的方法及装置有效
| 申请号： | 201480077227.4 | 申请日： | 2014-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN106463342B | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | N·拉策克 | 申请（专利权）人： | EV集团E·索尔纳有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C14/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 吴晟;刘春元 |
| 地址： | 奥地利圣*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于衬底(7)的衬底表面(7o)的表面处理的方法，其包含以下步骤：‑将该衬底表面(7o)布置在过程腔室(8)中，‑使用由离子束源(2、2’、2”)产生且瞄准该衬底表面(7o)的离子束(3、3’、3”)冲击该衬底表面(7o)以自该衬底表面(7o)移除杂质，其中该离子束(3、3’、3”)具有第一成分，‑将第二成分引入至该过程腔室(8)中以结合该经移除杂质。此外本发明涉及一种用于衬底(7)的衬底表面(7o)的表面处理的装置，其包含：‑过程腔室(8)，其用于接收该衬底(7)，‑离子束源(2、2’、2”)，其用于产生具有第一成分且瞄准该衬底表面(7o)的离子束(3、3’、3”)以自该衬底表面(7o)移除杂质，‑构件，其用于将第二成分引入至该过程腔室(8)中以结合该经移除的杂质。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 衬底 表面 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种用于衬底(7)的衬底表面(7o)的表面处理的方法，其包含以下步骤：‑将该衬底表面(7o)布置在过程腔室(8)中，‑使用由离子束源(2、2’、2”)产生且瞄准该衬底表面(7o)的离子束(3、3’、3”)冲击该衬底表面(7o)以自该衬底表面(7o)移除杂质，其中该离子束(3、3’、3”)具有第一成分，‑将第二成分引入至该过程腔室(8)中以结合该经移除杂质。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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