[发明专利]存储器阵列及形成存储器阵列的方法有效
| 申请号： | 201480077556.9 | 申请日： | 2014-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN106133840B | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | 马蒂亚·博尼亚蒂;安德烈亚·雷达埃利 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C13/02 | 分类号： | G11C13/02;G11C5/02 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一些实施例包含具有多个存储器单元的存储器阵列，所述存储器单元垂直地介于位线与字线之间。所述存储器单元含有相变材料。热屏蔽件沿着位线方向横向地介于紧邻存储器单元之间。所述热屏蔽件含有导电材料且与所述位线电连接。一些实施例包含具有多个存储器单元的存储器阵列，所述存储器单元布置成第一栅格。所述第一栅格具有沿着第一方向的列且具有沿着基本上正交于所述第一方向的第二方向的行。第一热屏蔽件沿着所述第一方向介于相邻存储器单元之间且布置成沿着所述第一方向从第一栅格偏移的第二栅格。第二热屏蔽件沿着所述第二方向介于相邻存储器单元之间，且布置成沿着所述第一方向并排延伸的线条。一些实施例包含用于形成存储器阵列的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 阵列 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储器阵列，其包括：多个存储器单元，其垂直地介于位线与字线之间；所述存储器单元包括相变材料；热屏蔽件，其沿着位线方向横向地介于紧邻存储器单元之间；所述热屏蔽件包括导电材料且与所述位线电连接；其中所述存储器单元位于半导体基底上方；及其中所述热屏蔽件从所述位线向下突出以与所述存储器单元内的至少一些所述相变材料垂直重叠。
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