[发明专利]EUV光刻装置及其曝光方法有效
| 申请号： | 201480078178.6 | 申请日： | 2014-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN106255922B | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 郑乐平;许琦欣;王帆;吴飞 | 申请（专利权）人： | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种EUV光刻装置及其曝光方法。所述装置的掩模台(300)承载多个反射式掩模(400a，400b)，处于曝光位的反射式掩模(400a)在曝光的同时，处于测量位的另一块反射式掩模(400b)可同时进行面型和位置测量。多批次硅片曝光时，能够节约面型和位置测量时间，提高产率。掩模台(300)也可承载多个相同的反射式掩模，通过切换掩模的方式交替使用进行硅片曝光，通过不断切换反射式掩模可避免在高真空环境中散热困难导致反射式掩模在一段时间曝光后的受热形变导致像质受损的情况发生。 | ||
| 搜索关键词： | 反射式掩模 曝光 位置测量 掩模台 硅片 面型 承载 高真空环境 交替使用 受热形变 散热 产率 像质 掩模 测量 受损 节约 | ||
【主权项】：
1.一种光刻装置，包括EUV光源、照明系统、投影系统和工件台，其特征在于，所述装置还包括：掩模台，可在投影系统上方运动，所述掩模台具有一第一载台和位于第一载台一侧的一第二载台；以及一第一测量系统，设置于投影系统的一侧，用于测量掩模台上反射式掩模的面型和位置，其中，所述掩模台的第一载台用于承载一第一反射式掩模，并当所述掩模台移动至相对于所述投影系统的一第一位置时，使得所述EUV光源发出的EUV光线经过所述照明系统、第一反射式掩模和投影系统照射至工件台上；其中，所述掩模台的第二载台用于承载一第二反射式掩模，且所述第一测量系统的位置被设置为当所述掩模台位于所述第一位置时，该第一测量系统能够对所述第二反射式掩模的面型和位置进行测量。
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