[发明专利]离子蚀刻装置以及试料加工方法

摘要

本发明提供一种用于抑制由于利用低加速电压而产生的离子束照射而产生的试料热量上升的技术。在试料(3)的前方设置与遮蔽件(2)不同的遮蔽板(13)。该遮蔽板(13)与加工面重叠的位置开口，离子束仅通过该遮蔽板(13)的开口部，在其以外的位置用遮蔽板(13)遮蔽，不会照射试料(3)。另外，通过冷却遮蔽板(13)而进一步抑制试料的热量上升。

主权项

一种离子蚀刻装置，其对试料照射离子束而对上述试料进行蚀刻，该离子蚀刻装置的特征在于，具备：释放上述离子束的离子源；载置并固定试料的试料支架；试料遮蔽件，其用于覆盖上述试料，仅使上述试料的一部分作为蚀刻对象而露出；以及离子束照射区域限制部件，其配置于上述试料遮蔽件与上述离子源之间，用于限制上述离子束相对于上述试料的照射区域，还具备用于固定上述试料遮蔽件的遮蔽件支架，上述离子束照射区域限制部件与上述遮蔽件支架接触地设置，上述离子束照射区域限制部件具备从其前端延伸的、用于防止上述离子束折回的折回部。