[发明专利]离子注入设备在审
| 申请号： | 201480078355.0 | 申请日： | 2014-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN106233422A | 公开（公告）日： | 2016-12-14 |
| 发明（设计）人： | 洪俊华;沈培俊 | 申请（专利权）人： | 上海凯世通半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01J37/00 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所31283 | 代理人： | 薛琦;钟华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种离子注入设备，其包括：在该真空制程腔中移动的承载框架，该承载框架包括边框部和由该边框部围成的中空部，该边框部用于通过支撑晶片的边缘来承载晶片；位于晶片表面一侧的至少一个第一离子注入装置，用于将离子从晶片的表面注入至晶片中；位于晶片背面一侧的至少一个第二离子注入装置，用于将离子从晶片的背面注入至晶片中，离子束所在平面与该承载框架的运动方向垂直，该承载框架用于承载晶片经过每个第一离子注入装置和每个第二离子注入装置的离子束的作用区域。所述离子注入设备通过在同一真空制程腔中在晶片的两侧设置离子注入装置来实现对晶片两个表面的离子注入，提高了加工效率，且无需设置额外的支撑装置，精简了结构。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 注入 设备 | ||
【主权项】：
PCT国内申请，权利要求书已公开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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