[发明专利]保护膜形成用薄膜

摘要

本发明提供一种保护膜形成用薄膜，其可以得到保护膜的强度高、有助于带有保护膜的晶片的生产率的提高、且高可靠度的带有保护膜的晶片。本发明的保护膜形成用薄膜，其用于形成保护半导体晶片的保护膜，保护膜形成用薄膜包括环氧类热固化性成分，环氧类热固化性成分包含具有环氧基的缩合环式芳香族化合物。

主权项

1.一种保护膜形成用薄膜，其用于形成保护半导体晶片的保护膜，所述保护膜形成用薄膜包括：环氧类热固化性成分，所述环氧类热固化性成分包含具有环氧基的缩合环式芳香族化合物，所述具有环氧基的缩合环式芳香族化合物为下述通式(III)、通式(IV)或通式(V)所表示的化合物：[化学式1][化学式2][化学式3]其中在通式(III)、通式(IV)及通式(V)中，R⁴为下述式所示的也可具有取代基的二价的烃基；[化学式4]上述式中，结合于碳的上下方向的结合键分别结合于萘环上，R⁵及R⁶分别独立地表示氢原子或碳原子数1～10的烷基；n为0～4的整数；n为0的情况下，上述式的结构表示单键；此外，在同时使用所述通式(III)～通式(V)的化合物的情况下，R⁴可为相同也可为不同。