[发明专利]电子束三束孔径阵列有效
| 申请号： | 201480078812.6 | 申请日： | 2014-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN106463351B | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | Y·A·波罗多维斯基;D·W·纳尔逊;M·C·菲利普斯 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 72002 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 林金朝;王英<国际申请>=PCT/US2 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了适用于互补式电子束光刻(CEBL)的光刻设备和涉及互补式电子束光刻(CEBL)的方法。在示例中，描述了用于电子束工具的消隐器孔径阵列(BAA)。所述BAA包括不同间距的三个有区别的孔径阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 电子束 孔径 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种用于电子束工具的消隐器孔径阵列，所述消隐器孔径阵列包括：/n第一阵列，所述第一阵列包括沿着第一方向并且具有第一间距的第一列开口，并且包括沿着所述第一方向并且与所述第一列开口交错的第二列开口，所述第二列开口具有所述第一间距；/n第二阵列，所述第二阵列包括沿着所述第一方向并且具有第二间距的第三列开口，并且包括沿着所述第一方向并且与所述第三列开口交错的第四列开口，所述第四列开口具有所述第二间距；以及/n第三阵列，所述第三阵列包括沿着所述第一方向并且具有第三间距的第五列开口，并且包括沿着所述第一方向并且与所述第五列开口交错的第六列开口，所述第六列开口具有所述第三间距，其中，所述消隐器孔径阵列的扫描方向沿着与所述第一方向正交的第二方向。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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