[发明专利]电子束通用切割件有效

申请号：	201480078821.5	申请日：	2014-12-19
公开（公告）号：	CN106463353B	公开（公告）日：	2019-12-20
发明（设计）人：	Y·A·波罗多维斯基;D·W·纳尔逊;M·C·菲利普斯	申请（专利权）人：	英特尔公司
主分类号：	H01L21/027	分类号：	H01L21/027
代理公司：	72002 永新专利商标代理有限公司	代理人：	陈松涛;韩宏
地址：	美国加***	国省代码：	美国;US
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摘要：	说明了适合于互补电子束光刻(CEBL)的光刻装置以及涉及互补电子束光刻(CEBL)的方法。在示例中，电子束工具的阻断器孔阵列(BAA)包括沿着第一方向的第一列开口。BAA还包括沿着第一方向并与第一列开口交错的第二列开口。第一列开口和第二列开口一起形成在第一方向上具有间距的阵列。BAA的扫描方向沿着与第一方向正交的第二方向。阵列的间距对应于与第二方向平行取向的线的目标图案的最小间距布局的一半。
搜索关键词：	电子束通用切割
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【主权项】：

1.一种用于电子束工具的阻断器孔阵列，所述阻断器孔阵列包括：/n沿着第一方向的第一列开口；以及/n沿着所述第一方向并与所述第一列开口交错的第二列开口，所述第一列开口和所述第二列开口一起形成在所述第一方向上具有间距的阵列，其中，所述阻断器孔阵列的扫描方向沿着与所述第一方向正交的第二方向，其中，所述阵列的所述间距对应于与所述第二方向平行取向的线的目标图案的最小间距布局的一半，并且其中，当沿着所述第二方向被扫描时，所述第一列开口中的一个或两个端部的开口与所述第二列开口中的对应的开口对准或略微重叠，并且所述第一列开口中的除了所述端部的开口之外的开口与所述第二列开口中的对应的两个开口分别对准或略微重叠。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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