[发明专利]具有集成高电压器件的硅管芯在审
申请号: | 201480078916.7 | 申请日: | 2014-06-16 |
公开(公告)号: | CN106575620A | 公开(公告)日: | 2017-04-19 |
发明(设计)人: | D·W·纳尔逊;M·C·韦伯;P·莫罗;K·俊 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L29/78 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人: | 林金朝,王英 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种方法包括在衬底上形成多个第一器件和多个第一互连件;将包括多个第二器件的第二器件层耦合到多个第一互连件中的一些第一互连件;以及在第二器件层上形成多个第二互连件。一种装置包括第一器件层,其包括设置在多个第一互连件和多个第二互连件之间的多个第一电路器件;以及第二器件层,其包括与多个第一互连件和多个第二互连件的其中之一并置并耦合的多个第二器件;其中,多个第一器件和多个第二器件中的一个包括具有比多个第一器件和多个第二器件中的另一个更高的电压范围的器件。 | ||
搜索关键词: | 具有 集成 电压 器件 管芯 | ||
【主权项】:
一种方法,包括:在衬底上形成多个第一器件;在所述衬底上形成多个第一互连件,其中,所述多个第一互连件中的一些第一互连件耦合到所述多个第一器件中的一些第一器件;将没有多个第二器件的第二器件层和包括多个第二器件的器件层的其中之一耦合到所述多个第一互连件中的一些第一互连件,在没有所述多个第二器件的器件层被耦合的条件下,所述方法包括:此后在所述器件层上形成多个第二器件;在所述第二器件层上形成多个第二互连件,其中,所述多个第二互连件中的一些第二互连件耦合到所述多个第二器件中的一些第二器件;以及将接触点形成到所述第一多个互连件中的一些互连件和所述第二多个互连件中的一些互连件的其中之一,所述接触点能够操作用于连接到外部源。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造