[发明专利]金属互连件的接缝愈合有效
| 申请号： | 201480078918.6 | 申请日： | 2014-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN106463358B | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | R·V·谢比亚姆;C·J·杰泽斯基;T·K·因杜库里;J·S·克拉克;J·J·普罗姆伯恩 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/31;H01L21/28 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;韩宏 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开内容的实施例描述了去除金属互连件中的缝隙和空隙以及相关联的技术和配置。在一个实施例中，一种方法，包括：将金属共形沉积到凹陷部中以形成互连件，该凹陷部被设置在电介质材料中，其中，共形沉积金属在凹陷部内的或直接相邻于凹陷部的所沉积的金属中产生缝隙或空隙；以及在存在反应气体的情况下对金属进行加热，以去除缝隙或空隙，其中，金属的熔点大于铜的熔点。可以描述和/或要求保护其它实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 互连 接缝 愈合 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：将金属共形沉积到凹陷部中以形成互连件，所述凹陷部被设置在电介质材料中，其中，共形沉积所述金属在所述凹陷部内的或直接相邻于所述凹陷部的所沉积的金属中产生缝隙或空隙；以及在存在反应气体的情况下对所述金属进行加热，以去除所述缝隙或所述空隙，其中，所述金属的熔点大于铜的熔点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
