[发明专利]集成电路器件的金属之间的选择性扩散阻挡部在审
| 申请号： | 201480078921.8 | 申请日： | 2014-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN106463412A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | J·M·罗伯茨;P·E·罗梅罗;S·B·克伦德宁;C·J·杰泽斯基;R·V·舍比亚姆 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/38 | 分类号： | H01L21/38;H01L21/31;H01L21/205 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开内容的实施例描述了集成电路(IC)器件的金属之间的选择性扩散阻挡部以及相关联的技术和构造。在一个实施例中，一种装置包括电介质材料；第一互连结构，所述第一互连结构包括设置在电介质材料中的第一金属；第二互连结构，所述第二互连结构包括设置在电介质材料中并且与第一互连结构电耦合的第二金属；以及扩散阻挡部，所述扩散阻挡部设置在第一互连结构与第二互连结构之间的界面处，其中，第一金属和第二金属具有不同的化学成分，扩散阻挡部的材料和第二金属具有不同的化学成分，并且扩散阻挡部的材料并非直接设置在第二金属与电介质材料之间。可以描述和/或要求保护其它实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 器件 金属 之间 选择性 扩散 阻挡 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：电介质材料；第一互连结构，所述第一互连结构包括设置在所述电介质材料中的第一金属；第二互连结构，所述第二互连结构包括设置在所述电介质材料中并且与所述第一互连结构电耦合的第二金属；以及扩散阻挡部，所述扩散阻挡部设置在所述第一互连结构与所述第二互连结构之间的界面处，其中，所述第一金属和所述第二金属具有不同的化学成分，所述扩散阻挡部的材料和所述第二金属具有不同的化学成分，并且所述扩散阻挡部的材料并非直接设置在所述第二金属与所述电介质材料之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
