[发明专利]块状碳化硅单晶的评价方法以及在该方法中使用的参照用碳化硅单晶有效
| 申请号： | 201480079106.3 | 申请日： | 2014-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN106415245B | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 小岛清;中林正史 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | G01N21/65 | 分类号： | G01N21/65 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 刘航;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供能够相对性地评价多个块状SiC单晶的晶格的应变程度的方法以及该方法所使用的参照用SiC单晶。一种块状碳化硅单晶的评价方法，测定作为基准的参照用碳化硅单晶的拉曼位移Rref，并且，测定作为评价对象的多个块状碳化硅单晶的各自的拉曼位移Rn，求出各拉曼位移Rn与上述拉曼位移Rref的差量，对该差量进行相对比较，由此相对性地评价作为评价对象的多个块状碳化硅单晶的晶格的应变大小。另外，该方法中使用的参照用碳化硅单晶，尺寸为5mm以上50mm以下见方且厚度为100μm以上2000μm以下，并且，表面粗糙度Ra为1nm以下，微管密度为1.0个/cm2以下，位错密度为5×103个/cm2以下。 | ||
| 搜索关键词： | 块状 碳化硅 评价 方法 以及 使用 参照 | ||
【主权项】：
1.一种块状碳化硅单晶的评价方法，其特征在于，测定作为基准的参照用碳化硅单晶的拉曼位移Rref，并且，测定作为评价对象的多个块状碳化硅单晶的各自的拉曼位移Rn，求出各拉曼位移Rn与所述拉曼位移Rref的差量，对该差量进行相对比较，由此相对性地评价作为评价对象的多个块状碳化硅单晶的晶格的应变的大小，所述参照用碳化硅单晶是从以下区域取出的，该区域是从口径为100mm以上的碳化硅单晶锭的横截面除去了中心部和边缘部后的R/3～2R/3的环状的区域，其中R为锭的半径。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昭和电工株式会社，未经昭和电工株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201480079106.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
