[发明专利]基于穿硅过孔的光伏电池

摘要

实施例包括一种装置，该装置包括：第一光伏电池；第一穿硅过孔(TSV)，第一穿硅过孔包括在第一光伏电池中并穿过掺杂的硅衬底的至少一部分，第一TSV包括(a)(ⅰ)第一侧壁，第一侧壁被与掺杂的硅衬底相反地进行掺杂，以及(a)(ⅱ)第一接触部，第一接触部大体上填充第一TSV；以及第二TSV，第二TSV包括在第一光伏电池中并穿过掺杂的硅衬底的至少另一部分，第二TSV包括(b)(ⅰ)第二侧壁，该第二侧壁包括掺杂的硅衬底，以及(b)(ⅱ)第二接触部，第二接触部大体上填充第二TSV；其中，第一接触部和第二接触部均包括大体上透明的导电材料。本文中描述了其它实施例。

主权项

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一光伏电池；第一穿硅过孔(TSV)，所述第一穿硅过孔包括在所述第一光伏电池中并穿过掺杂的硅衬底的至少一部分，所述第一TSV包括(a)(ⅰ)第一侧壁，所述第一侧壁被与所述掺杂的硅衬底相反地进行掺杂，以及(a)(ⅱ)第一接触部，所述第一接触部大体上填充所述第一TSV；以及第二TSV，所述第二TSV包括在所述第一光伏电池中并穿过所述掺杂的硅衬底的至少另一部分，所述第二TSV包括(b)(ⅰ)第二侧壁，所述第二侧壁包括所述掺杂的硅衬底，以及(b)(ⅱ)第二接触部，所述第二接触部大体上填充所述第二TSV；其中，所述第一接触部和所述第二接触部均包括大体上透明的导电材料。