[发明专利]用于形成功能单元的紧凑阵列的技术

摘要

公开了用于使用下一代光刻(NGL)工艺，例如使用电子束直接写入(EBDW)和极紫外光刻(EUVL)形成阵列中的单元的边界来形成功能单元的紧凑阵列的技术。单元的紧凑阵列可以用于被配置有逻辑单元的现场可编程门阵列(FPGA)结构、被配置有位单元的静态随机存取存储器(SRAM)结构、或具有基于单元的结构的其它存储器或逻辑器件。技术可以用于例如针对功能单元阵列得到百分之10到50的面积减小，这是因为与常规193nm光刻相比，NGL工艺允许单元边界的较高精度和较近的切口。此外，使用NGL工艺形成单元的边界还可以减少在其它情况下利用常规193nm光刻将呈现的光刻引起的变化。

主权项

1.一种集成电路，包括：/n衬底；/n包括扩散线的网格，所述扩散线中的至少三条扩散线包括在其间具有一致的间距的所述网格中；以及/n包括两个相邻单元的功能单元的阵列，所述两个相邻单元至少部分地位于包括在其间具有一致的间距的所述网格中的所述至少三条扩散线上，每个单元具有边界，在所述两个相邻单元的边界之间没有扩散线，以使得所述相邻单元之一包括所述至少三条扩散线中的两条或更多条，并且所述相邻单元中的另一个包括所述至少三条扩散线中的一条或多条；/n其中，所述阵列中的所述两个相邻单元的边界之间的距离小于50nm。/n