[发明专利]用于静摩擦补偿的磁性纳米机械器件有效

专利信息
申请号: 201480079265.3 申请日: 2014-06-27
公开(公告)号: CN106573770B 公开(公告)日: 2019-08-06
发明(设计)人: J·A·穆诺茨;D·E·尼科诺夫;K·J·库恩;P·泰奥法尼斯;C·帕瓦申;K·林;S·金 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: B81B7/02 分类号: B81B7/02
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 陈松涛;王英
地址: 美国加*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 描述了用于操作电压的改进的范围和悬臂的尺寸的改进的控制的具有纳米磁铁的纳米机电(NEMS)器件。例如,在实施例中,纳米机电(NEMS)器件包括衬底层、设置在衬底层上方的第一磁性层、设置在第一磁性层上方的第一电介质层、设置在第一电介质层上方的第二电介质层、以及设置在第二电介质层上方的悬臂。当将电压施加到悬臂时,悬臂从第一位置朝着衬底层弯曲到第二位置。
搜索关键词: 用于 静摩擦 补偿 磁性 纳米 机械 器件
【主权项】:
1.一种纳米机电(NEMS)器件,包括:衬底层;第一磁性层,其设置在所述衬底层上方,所述第一磁性层具有顶表面;第一电介质层,其设置在所述第一磁性层的整个顶表面上方;第二电介质层,其设置在所述第一电介质层上方;以及悬臂,其设置在所述第二电介质层上方,当将电压施加到所述悬臂时,所述悬臂从第一位置朝着所述衬底层弯曲到第二位置,其中,所述悬臂包括第二磁性层和设置在所述第二磁性层上方的多晶硅层。
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