[发明专利]用于形成集成无源器件的技术有效
| 申请号： | 201480079271.9 | 申请日： | 2014-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN106415744B | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | R·T·埃尔赛义德;N·戈埃尔;S·E·博乌-加扎利;A·罗伊;J·C·叶 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01F17/00 | 分类号： | H01F17/00;H01G4/32;H01F41/04 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了用于使用下一代光刻(NGL)工艺(例如，电子束直写技术(EBDW)和极紫外光刻法(EUVL)来形成集成无源器件(例如，电感器和电容器)的技术。该技术可以用于形成各种不同的集成无源器件，例如电感器(例如，螺旋电感器)和电容器(例如，金属指状物电容器)，这比在这样的器件使用193nm光刻法而形成的情况下具有更高的密度、精度和质量因数(Q)值。所形成的高Q且密集的无源器件可以在射频(RF)和模拟电路中使用以提高这样的电路的性能。可以基于在例如线边缘粗糙度(LER)、可实现的分辨率/临界尺寸、角的锐度和/或所形成的结构的密度中的改进来实现增加的精度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 集成 无源 器件 技术 | ||
【主权项】：
1.一种电感器，包括：衬底；以及形成在所述衬底上的导电线圈，所述导电线圈具有多个连接的线部分；其中，所述线部分均具有4nm或更小的线边缘粗糙度(LER)。
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