[发明专利]基于氧化物的三端子电阻式开关逻辑器件有效
| 申请号： | 201480079273.8 | 申请日： | 2014-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN106575703B | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | E·V·卡尔波夫;P·马吉;R·皮拉里塞泰;B·S·多伊尔;N·慕克吉;U·沙阿;R·S·周 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 72002 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了基于氧化物的三端子电阻式开关逻辑器件和制造基于氧化物的三端子电阻式开关逻辑器件的方法。在第一示例中，三端子电阻式开关逻辑器件包括设置在衬底上方的活性区。活性区包括直接设置在金属源极区和金属漏极区之间的活性氧化物材料区。器件还包括设置在活性氧化物材料区上方的栅极电极。在第二示例中，三端子电阻式开关逻辑器件包括设置在衬底上方的活性区。活性区包括从第二氧化物材料区间隔开的第一活性氧化物材料区。器件还包括设置在第一和第二活性氧化物材料区的任一侧上的金属输入区。金属输出区设置在第一和第二活性氧化物材料区之间。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 氧化物 端子 电阻 开关 逻辑 器件 | ||
【主权项】：
1.一种三端子电阻式开关逻辑器件，包括：/n设置在第一金属线上方的第一垂直活性区，所述第一垂直活性区包括金属输出区的设置在第一活性氧化物材料区上的第一部分，所述第一活性氧化物材料区设置在第一金属输入区上，所述第一金属输入区设置在所述第一金属线上；/n设置在与所述第一金属线共面的第二金属线上方的第二垂直活性区，所述第二垂直活性区包括所述金属输出区的设置在第二活性氧化物材料区上的第二部分，所述第二活性氧化物材料区设置在第二金属输入区上，所述第二金属输入区设置在所述第二金属线上；以及/n设置在所述金属输出区的所述第一部分和所述第二部分上并电连接所述金属输出区的所述第一部分和所述第二部分的第三金属线。/n
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