[发明专利]电磁波屏蔽用金属箔、电磁波屏蔽材料及屏蔽电缆

摘要

本发明的课题是提供即使暴露在高温环境中，耐腐蚀性也难以降低的电磁波屏蔽用金属箔、电磁波屏蔽材料及屏蔽电缆。解决手段为电磁波屏蔽用金属箔10，其中，在由金属箔1构成的基材的一面或两面形成由Ni构成的基底层2，在该基底层的表面形成Sn‑Ni合金层3，Sn‑Ni合金层含有20~80质量%的Sn，在将Sn的总附着量记为T_Sn[μg/dm²]，将Sn‑Ni合金中Sn的比例记为A_Sn[质量%]，将Ni的总附着量记为T_Ni[μg/dm²]，将Sn‑Ni合金中Ni的比例记为A_Ni[质量%]时，T_Sn：500~91000μg/dm²，T_Ni：2200~236000μg/dm²，170000≥{T_Ni‑T_Sn×(A_Ni/A_Sn)}≥1700。

主权项

1.电磁波屏蔽用金属箔，其中，在由金属箔构成的基材的一面或两面形成由Ni构成的基底层，在所述基底层的表面形成Sn-Ni合金层，相对于Sn-Ni，所述Sn-Ni合金层含有2质量%以下的所述基材的构成元素，/n在所述Sn-Ni合金层的表面不存在纯Sn层，/n所述Sn-Ni合金层含有20~80质量%的Sn，/n在将Sn的总附着量记为T_Sn，μg/dm²，将Sn-Ni合金中Sn的比例记为A_Sn，质量%，将Ni的总附着量记为T_Ni，μg/dm²，将Sn-Ni合金中Ni的比例记为A_Ni，质量%时，T_Sn：500~91000μg/dm²，T_Ni：2200~236000μg/dm²，170000≥{T_Ni-T_Sn×(A_Ni/A_Sn)}≥1700。/n