[发明专利]扫描激光雷达及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201480079448.5 申请日: 2014-06-27
公开(公告)号: CN106415309B 公开(公告)日: 2019-07-30
发明(设计)人: K·塞严;帕米拉·R·帕特森;奥列格·M·埃菲莫夫 申请(专利权)人: HRL实验室有限责任公司
主分类号: G01S7/481 分类号: G01S7/481;G01S17/66
代理公司: 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 代理人: 王刚;龚敏
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种芯片级扫描激光雷达包括用于传输波束的二维2D扫描微镜以及用于接收波束的二维2D扫描微镜,激光二极管和光检测器,在基板上的耦合至所述激光二极管的前面的第一波导和第一光栅外耦合器以及耦合至所述激光二极管的背面的第二波导和第二光栅外耦合器。结合至基板并在激光二极管和光检测器上的第一固定微镜,第二微镜,第三微镜和对焦部件。光检测器光耦合至第二固定微镜和第三固定微镜,用于相干检测。
搜索关键词: 扫描 激光雷达 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种制造芯片级扫描激光雷达的方法,包括:在基板上形成用于传输波束的二维2D扫描微镜;在所述基板上形成用于接收波束的二维2D扫描微镜;在所述基板上形成激光二极管;在所述基板上形成光检测器;在所述基板上形成第一波导,所述第一波导的一端连接至所述激光二极管的第一面;在所述基板上形成连接至所述第一波导的另一端的第一光栅外耦合器;在所述基板上形成第二波导,所述第二波导的一端连接至所述激光二极管的第二面;在所述基板上形成连接至所述第二波导的另一端的第二光栅外耦合器;在第一介电层中形成第一固定微镜和第二固定微镜;在第二介电层中形成第三固定微镜;在第三介电层中形成对焦部件;将所述第一、第二和第三介电层结合形成复合结构;在所述激光二极管和所述光检测器上将所述复合结构对准至所述基板;以及在所述激光二极管和所述光检测器上将所述复合结构结合至所述基板。
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