[发明专利]晶片打标方法有效
| 申请号： | 201480079450.2 | 申请日： | 2014-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN106463497B | 公开（公告）日： | 2019-10-22 |
| 发明（设计）人： | 具春会;金秀永;郑成钒 | 申请（专利权）人： | EO科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人： | 石宝忠 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用激光对附着有加工用带的晶片进行打标的方法。所公开的激光打标方法包括：使波长为532nm的激光束透过被附着在所述晶片的一面上的所述加工用带的步骤；以及使所述波长为532nm的激光束以预定速度移动，以在所述晶片的一面上执行打标操作的步骤，其中，所述波长为532nm的激光束具有8kHz至40kHz的频率和0.8W至2W的输出功率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶片打标方法，所述晶片打标方法利用激光对附着有加工用带的晶片进行打标，所述晶片打标方法包括：使波长为532nm的激光束透过被附着在所述晶片的一面上的所述加工用带的步骤；以及使所述波长为532nm的激光束以预定速度移动，以在所述晶片的一面上执行打标操作的步骤，其中，所述波长为532nm的激光束具有8kHz至40kHz的频率和0.8W至2W的输出功率，其中，通过根据所述加工用带的透射率调节所述波长为532nm的激光束的频率、输出功率和移动速度，控制所述晶片的打标质量。
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