[发明专利]基于负微分电阻的存储器有效
| 申请号： | 201480079614.1 | 申请日： | 2014-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN106463509B | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | D·H·莫里斯;U·E·阿维奇;R·里奥斯;I·A·扬 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;韩宏 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了一种存储器位单元，包括：储存节点；存取晶体管，该存取晶体管耦合到储存节点；电容器，该电容器具有耦合到储存节点的第一端子；以及一个或多个负微分电阻器件，该一个或多个负微分电阻器件耦合到储存节点，以使得存储器位单元不具有接地线或电源线的其中之一或两者。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 微分 电阻 存储器 | ||
【主权项】：
一种存储器位单元，包括：储存节点；存取晶体管，所述存取晶体管耦合到所述储存节点；电容器，所述电容器具有耦合到所述储存节点的第一端子；以及一个或多个负微分电阻器件，所述一个或多个负微分电阻器件耦合到所述储存节点，以使得所述存储器位单元不具有接地线或电源线的其中之一或两者。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
