[发明专利]穿体过孔衬垫沉积在审
| 申请号： | 201480079660.1 | 申请日： | 2014-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN106463421A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | P·普里;J·康;J·Y·郑 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/205 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 陈松涛;韩宏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了用于穿体过孔衬垫结构以及在集成电路中形成这样的衬垫结构的工艺的技术。在实施例中，集成电路包括具有一个或多个穿硅过孔(TSV)的硅半导体衬底，尽管如鉴于本公开内容将意识到的，也可以使用其它穿体过孔。每个TSV延伸穿过衬底的至少一部分，例如，从衬底的一侧(例如，顶部)延伸到衬底的相对侧(例如，底部)，或者从衬底的一个内部层延伸到另一个内部层。衬垫被设置在衬底与每个TSV之间。衬垫由夹在一起的相异绝缘膜(例如，拉伸膜和压缩膜)的多个交替层构成。 | ||
| 搜索关键词： | 衬垫 沉积 | ||
【主权项】：
一种集成电路，包括：半导体结构；穿体过孔，所述穿体过孔延伸穿过所述半导体结构的至少部分；以及衬垫，所述衬垫被设置在所述半导体结构与所述穿体过孔之间，所述衬垫包括交替的多个第一绝缘层和多个第二绝缘层，所述第二绝缘层与所述第一绝缘层不同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
