[发明专利]用于通过催化剂氧化物形成而创建微电子器件隔离的设备和方法有效
| 申请号： | 201480080459.5 | 申请日： | 2014-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN106688102B | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | G·比马拉塞蒂;W·哈菲兹;J·朴;韩卫民;R·科特纳 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 通过在半导体本体上形成氧化催化剂层随后通过氧化工艺来形成非平面晶体管器件，所述器件在其半导体本体中包括氧化物隔离结构。在一个实施例中，半导体本体可以由含硅材料形成并且氧化催化剂层可以包括氧化铝，其中氧化半导体本体以形成氧化物隔离区域形成了半导体本体第一部分和半导体本体第二部分，并且隔离区域大体上将半导体本体第一部分和半导体本体第二部分电隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 通过 催化剂 氧化物 形成 创建 微电子 器件 隔离 设备 方法 | ||
【主权项】：
一种形成非平面晶体管的方法，包括：形成半导体本体；在所述半导体本体上图案化氧化催化剂层；以及氧化所述半导体本体以在所述半导体本体内与所述氧化催化剂相邻地形成氧化物隔离区域。
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