[发明专利]用于提高磁性隧道结的界面各向异性的配置和技术有效
| 申请号： | 201480080460.8 | 申请日： | 2014-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN106688118B | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | K·奥乌兹;M·L·多齐;B·S·多伊尔;C·C·郭;A·乔杜里;R·S·周 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;G11C11/16 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开内容的实施例描述了用于提高磁性隧道结的界面各向异性的配置和技术。在实施例中，磁性隧道结可以包括盖帽层、隧道阻挡部、以及被设置在盖帽层与隧道阻挡部之间的磁性层。在一些实施例中，缓冲层可以被设置在磁性层与盖帽层或隧道阻挡部中所选择的其中之一之间。在这样的实施例中，缓冲层与盖帽层或隧道阻挡部中所选择的其中之一的界面各向异性可以大于磁性层与盖帽层或隧道阻挡部中所选择的其中之一的界面各向异性。可以描述和/或要求保护其它实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 提高 磁性 隧道 界面 各向异性 配置 技术 | ||
【主权项】：
1.一种磁性隧道结，包括：盖帽层；隧道阻挡部；磁性层，其被设置在所述盖帽层与所述隧道阻挡部之间；以及缓冲层，其被设置在所述盖帽层或所述隧道阻挡部中所选择的其中之一与所述磁性层之间，其中，所述盖帽层或所述隧道阻挡部中所选择的其中之一与所述缓冲层的界面各向异性大于所述盖帽层或所述隧道阻挡部中所选择的其中之一与所述磁性层的界面各向异性，其中，所述磁性层由磁性地耦合以形成单个磁体的多个磁性子层组成，其中，所述多个磁性子层包括被设计为提高所述磁性层的界面各向异性的一个或多个缓冲子层，并且，其中，所述多个磁性子层包括被设置在第一外侧磁性子层与第二外侧磁性子层之间的中间子层。
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