[发明专利]利用电子束通用切具的交叉扫描接近度校正有效
| 申请号： | 201480080745.1 | 申请日： | 2014-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN106537556B | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | Y·A·波罗多维斯基 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了适合于互补型电子束光刻(CEBL)的光刻装置和涉及互补型电子束光刻(CEBL)的方法。在示例中，用于电子束直接写入光刻工具的列包括第一阻断器孔阵列(BAA)，该第一阻断器孔阵列(BAA)包括沿着阵列方向具有节距的开口的交错阵列。阵列方向与扫描方向正交。每个开口在阵列方向上都具有第一尺寸。列还包括第二BAA，该第二BAA包括沿着阵列方向具有节距的开口的交错阵列。每个开口在阵列方向上都具有第二尺寸，第二尺寸大于第一尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 电子束 通用 交叉 扫描 接近 校正 | ||
【主权项】：
一种用于电子束直接写入光刻工具的列，所述列包括：第一阻断器孔阵列(BAA)，所述第一阻断器孔阵列包括沿着阵列方向具有节距的开口的交错阵列，所述阵列方向与扫描方向正交，其中，每个开口在所述阵列方向上具有第一尺寸；以及第二BAA，所述第二BAA包括沿着所述阵列方向具有所述节距的开口的交错阵列，其中，每个开口在所述阵列方向上具有第二尺寸，所述第二尺寸大于所述第一尺寸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
