[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

在Si衬底(1)的背面注入n型杂质而形成n型层(3)。在Si衬底(1)的背面形成有凹部(4)。在形成了n型层(3)之后，在背面之上和凹部(4)内形成氧化膜(5)。留下凹部(4)内的保护膜并将背面之上的氧化膜(5)去除。在将氧化膜(5)去除之后，在背面之上形成Al‑Si膜(6)。在Al‑Si膜(6)之上形成金属电极(7)。接着，与对比例进行比较而说明本实施方式的效果。凹部(4)内的氧化膜(5)防止Al从Al‑Si膜(6)经由凹部(4)扩散至Si衬底(1)。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，其具有在Al‑Si膜之上形成金属电极的工序，该半导体装置的制造方法的特征在于，具有下述工序：针对具有形成有凹部的背面的Si衬底，在所述Si衬底的所述背面注入n型杂质而形成n型层；在形成了所述n型层之后，在所述背面之上和所述凹部内形成保护膜；留下所述凹部内的所述保护膜并将所述背面之上的所述保护膜去除；以及在将所述保护膜去除之后，在所述背面之上形成所述Al‑Si膜；所述凹部内的所述保护膜防止Al从所述Al‑Si膜经由所述凹部扩散至所述Si衬底。