[发明专利]半导体器件及电子装置有效
申请号: | 201480081240.7 | 申请日: | 2014-08-25 |
公开(公告)号: | CN106575645B | 公开(公告)日: | 2019-12-24 |
发明(设计)人: | 武藤晃;城户则夫 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L23/492 | 分类号: | H01L23/492;H01L23/498;H01L23/28;H01L23/31;H01L25/07;H01L25/18;H02P27/06;H02P25/092 |
代理公司: | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人: | 陈伟;闫剑平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种能够实现例如适于SR电机的高性能化的半导体器件。半导体器件具有:芯片搭载部(TAB1),其搭载半导体芯片(CHP1),该半导体芯片(CHP1)形成有IGBT;以及芯片搭载部(TAB2),其搭载半导体芯片(CHP2),该半导体芯片(CHP2)形成有二极管。另外,半导体器件具有:引线(LD1A),其与半导体芯片(CHP1)的发射极焊盘(EP)经由夹片(CLP1)电连接;以及引线(LD1B),其与半导体芯片(CHP2)的阳极焊盘(ADP)经由夹片(CLP2)电连接。此时,芯片搭载部(TAB1)与芯片搭载部(TAB2)电隔离,夹片(CLP1)与夹片(CLP2)电隔离。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 电子 装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,其用于SR电机用的逆变器电路,所述半导体器件具有:/n(a)第一半导体芯片,其具有绝缘栅双极型晶体管,并具有形成有发射极焊盘的第一表面和形成有集电极且作为所述第一表面相反侧的面的第一背面;/n(b)第二半导体芯片,其具有二极管,并具有形成有阳极焊盘的第二表面和形成有阴极且作为所述第二表面相反侧的面的第二背面;/n(c)第一芯片搭载部,其搭载有所述第一半导体芯片,并具有与所述第一半导体芯片的所述第一背面电连接的第一上表面和作为所述第一上表面相反侧的面的第一下表面;/n(d)第二芯片搭载部,其搭载有所述第二半导体芯片,并具有与所述第二半导体芯片的所述第二背面电连接的第二上表面和作为所述第二上表面相反侧的面的第二下表面;/n(e)第一引线,其与所述第一半导体芯片的所述发射极焊盘经由第一导电性部件电连接;/n(f)第二引线,其与所述第二半导体芯片的所述阳极焊盘经由第二导电性部件电连接;以及/n(g)封固体,其具有第一主面和作为所述第一主面相反侧的面的第二主面,将所述第一半导体芯片、所述第二半导体芯片、所述第一芯片搭载部的一部分、所述第二芯片搭载部的一部分、所述第一引线的一部分及所述第二引线的一部分封固,所述第一主面具有第一边及与所述第一边相对的第二边,/n所述第一芯片搭载部的所述第一下表面及所述第二芯片搭载部的所述第二下表面从所述封固体的所述第二主面露出,/n在俯视时,所述第一引线和所述第二引线沿着在第一方向上延伸的所述封固体的所述第一边并排配置,/n所述第一芯片搭载部与所述第二芯片搭载部电隔离,/n所述第一导电性部件与所述第二导电性部件电隔离。/n
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