[发明专利]利用石墨烯硅量子点混合结构的光电二极管及其制造方法

摘要

提供了一种通过控制硅量子点大小和石墨烯掺杂浓度，提高光学特性及电性特性的包括石墨烯硅量子点混合结构的光电二极管。本发明的包括石墨烯硅量子点混合结构的光电二极管制作方便，可大面积制作，且从紫外线领域到近紫外线领域的光检测带宽广，选择性地可调整吸收能量。

主权项

一种包括石墨烯硅量子点混合结构的光电二极管，其包括：混合结构，以包括形成在硅氧化物薄膜内的硅量子点的硅量子点层，和形成在所述硅量子点层上的掺杂的石墨烯构成；及电极，形成在所述混合结构的上下部，其中，所述硅量子点层包括形成在SiO2薄膜内的硅量子点，所述硅量子点层通过在基板上将SiO2薄膜及SiOx薄膜交替地按顺序叠层之后热处理形成；所述掺杂的石墨烯的掺杂浓度通过在沉积形成的石墨烯上涂布AuCl3然后退火来控制；且根据所述硅量子点的大小及所述掺杂的石墨烯的掺杂浓度，控制光学及电性特性。