[发明专利]利用石墨烯硅量子点混合结构的隧穿二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201480081346.7 | 申请日： | 2014-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN106575674B | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 崔石镐;申东熙;金成 | 申请（专利权）人： | 庆熙大学校产学协力团 |
| 主分类号： | H01L29/88 | 分类号： | H01L29/88;C01B32/182 |
| 代理公司： | 北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11384 | 代理人： | 郑青松 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种通过硅量子点的大小和控制石墨烯的掺杂浓度，提高二极管性能及电性特性的包括石墨烯硅量子点混合结构的隧穿二极管。本发明的理想隧穿二极管，可活用在二极管基础的光电子元件。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 石墨 量子 混合结构 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种包括石墨烯硅量子点混合结构的隧穿二极管，其包括：混合结构，以包括形成在硅氧化物薄膜内的硅量子点的硅量子点层，和形成在所述硅量子点层上的单层的掺杂的石墨烯构成；及电极，形成在所述混合结构的上下部；其中，所述硅量子点层在基板上将SiO2薄膜及SiOx薄膜按顺序叠层之后，在1000℃至1200℃的氮气氛上热处理，包括形成在所述SiO2薄膜内的所述硅量子点。
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