[发明专利]电阻式随机存取存储器单元中的氧化物存储器元件的稀土金属与金属氧化物电极接合

摘要

薄膜电阻式存储器材料堆叠体包括在第一电极与薄膜存储器材料的界面处的高功函数金属氧化物、以及在第二电极与薄膜存储器材料的界面处的低功函数稀土金属中的至少一种。针对高导通/关断电流比，高功函数金属氧化物相对于存储器材料提供良好的肖特基势垒高度。金属氧化物与开关氧化物的相容性降低了氧/空穴的循环损失，以改善存储器器件的耐久性。低功函数稀土金属提供高氧溶解度以增强在沉积状态下在存储器材料内的空穴产生，以用于在提供与电阻式存储器材料的欧姆接触的同时实现低形成电压要求。

主权项

一种电阻式薄膜存储器堆叠体，包括：衬底；第一电极材料和第二电极材料，所述第一电极材料和所述第二电极材料设置在所述衬底之上；薄膜存储器材料，所述薄膜存储器材料设置在所述第一电极材料与所述第二电极材料之间，所述薄膜存储器材料在跨所述第一电极和所述第二电极施加的置位/复位电压下经历在低电阻状态与高电阻状态之间的非易失性转变；以及以下材料中的至少一种：设置在所述存储器材料与所述第一电极材料之间的包括具有低于4.5eV的功函数的稀土金属的覆盖材料，或设置在所述存储器材料与所述第二电极之间的包括具有高于4.8eV的功函数的金属氧化物的功函数电极材料。