[发明专利]改进的硅通孔在审
| 申请号： | 201480081420.5 | 申请日： | 2014-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN106575626A | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | M·索瓦 | 申请（专利权）人： | 雅达公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 陈文平,吕小羽 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 使用ALD和PEALD处理来制备通孔以便金属化。每一个通孔被涂覆以厚度范围为20至的氮化钛阻挡层。在氮化钛阻挡层上形成钌密封层，其中所述密封层在无氧的情况下形成以防止氮化钛阻挡层的氧化。在密封层上形成钌成核层，其中所述成核层在有氧的情况下形成以便在Ru成核层的施加过程中氧化碳。密封层通过PEALD方法使用等离子体激发的氮自由基而不是氧形成。 | ||
| 搜索关键词： | 改进 硅通孔 | ||
【主权项】：
一种电子器件，所述电子器件包含由内径表面和基壁表面形成的通孔，其中所有表面均被涂覆有：‑厚度范围为20至的氮化钛阻挡层；‑形成在所述氮化钛阻挡层上的钌密封层，其中所述密封层在不将所述阻挡层暴露于氧的情况下形成；和‑形成在所述密封层上的钌成核层，其中所述成核层在有氧的情况下形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
