[发明专利]并入有阻挡层的1S1R存储单元

摘要

薄膜1S1R位单元包含位于选择器元件与存储器元件之间的阻挡部。还描述了包含这些位单元的器件和形成这些位单元的方法。在实施例中，选择器元件和存储器元件均为电介质材料，并且有利地为金属氧化物。位于选择器元件与存储器元件之间的是阻挡部，其用于减小选择器材料和存储器材料的混合和/或反应。将具有适合的材料属性的阻挡层添加到1S1R叠置体中可以通过抵抗由位单元在操作期间经历的热和/或电场应力驱动的选择器薄膜材料和存储器薄膜材料的混合和/或反应来延长包含叠置体的位单元的操作寿命。在实施例中，阻挡部层可以包括具有与选择器元件和存储器元件的(多种)材料组分不同的组分的一个或多个材料层。

主权项

一种电阻式存储器单元，包括：衬底；第一电极材料和第二电极材料，所述第一电极材料和所述第二电极材料设置在所述衬底之上；薄膜存储器元件和薄膜选择器元件，所述薄膜存储器元件和所述薄膜选择器元件设置在所述第一电极材料与所述第二电极材料之间；以及电浮置的导电薄膜阻挡部，所述电浮置的导电薄膜阻挡部设置在所述存储器元件与所述选择器元件之间。