[发明专利]用于在垂直STTM叠置体中改善稳定性的非晶籽晶层有效
| 申请号： | 201480081448.9 | 申请日： | 2014-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN106575519B | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | M·L·多齐;K·奥乌兹;B·S·多伊尔;C·C·郭;R·S·周;S·苏里 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于磁性隧道结的材料层叠置体，材料层叠置体包括：固定磁性层；电介质层；自由磁性层；以及非晶导电籽晶层，其中，固定磁性层设置在电介质层与籽晶层之间。一种非易失性存储器器件，包括材料叠置体，材料叠置体包括：非晶导电籽晶层；以及固定磁性层，其与籽晶层并置并接触。一种方法，包括：在存储器器件的第一电极上形成非晶籽晶层；在非晶籽晶层上形成材料层叠置体，材料叠置体包括设置在固定磁性层与自由磁性层之间的电介质层，其中固定磁性层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 垂直 sttm 叠置体中 改善 稳定性 籽晶 | ||
【主权项】：
一种用于磁性隧道结的材料层叠置体，所述材料层叠置体包括：固定磁性层；电介质层；自由磁性层；以及非晶导电籽晶层，其中，所述电介质层设置在所述固定磁性层与所述自由磁性层之间，并且所述固定磁性层设置在所述电介质层与所述籽晶层之间。
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