[发明专利]在PSTTM MTJ结构中的磁性扩散阻挡层和过滤层有效
| 申请号： | 201480081454.4 | 申请日： | 2014-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN106796816B | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | K·P·奥布赖恩;K·奥乌兹;B·S·多伊尔;M·L·多齐;C·C·郭;R·S·周 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 韩宏;陈松涛 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供用于磁性隧道结的材料层堆叠体。材料层堆叠体包括：在固定磁性层和自由磁性层之间的介质层；相邻于固定磁性层的过滤层；以及相邻于自由磁性层的插入层，其中插入层和过滤层中的至少一个包括具有1特斯拉或更小的磁通量密度的材料。 | ||
| 搜索关键词： | psttm mtj 结构 中的 磁性 扩散 阻挡 过滤 | ||
【主权项】：
一种用于磁性隧道结的材料层堆叠体，所述材料层堆叠体包括：在固定磁性层和自由磁性层之间的介质层；相邻于所述固定磁性层的过滤层；以及相邻于所述自由磁性层的插入层，其中所述插入层和所述过滤层中的至少一个包括具有1特斯拉或更小的磁通量密度的材料。
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