[发明专利]金属氧化物金属场效应晶体管(MOMFET)有效
| 申请号： | 201480081505.3 | 申请日： | 2014-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN106605303B | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | R·里奥斯;K·J·库恩;S·金;J·R·韦伯 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/335 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施例包括金属氧化物金属场效应晶体管(MOMFET)以及制造这种器件的方法。在实施例中，MOMFET器件包括源极和漏极，具有设置在源极和漏极之间的沟道。根据实施例，沟道具有在沟道中产生量子限域效应的至少一个受限尺寸。在实施例中，MOMFET器件还包括通过栅极电介质与沟道分隔开的栅极电极。根据实施例，可以通过改变沟道的尺寸，用于沟道的材料和/或施加到沟道的表面终止物来调节沟道的带隙能量。实施例还包括通过相对于沟道的导带和价带能量控制源极和漏极的工作函数来形成N型器件和P型器件。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 场效应 晶体管 momfet | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：源极和漏极，其中，所述源极和所述漏极由具有第一功函数的材料形成；沟道，所述沟道设置在所述源极和所述漏极之间，其中，所述沟道为选自由半金属、铋化物、稀土磷族元素化物、IV‑b/IV‑a族化合物、过渡金属化合物和硅化物组成的组中的材料，并且其中，所述沟道具有小于5.0nm的厚度；以及栅极电极，所述栅极电极通过栅极电介质而与所述沟道分隔开，所述栅极电极具有第二功函数。
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