[发明专利]带有预防交叉导通电路的开关驱动器

摘要

一种用于功率晶体管开关的驱动器，包括场效应晶体管互补输出级，该输出级由另一场效应晶体管互补预驱动器级所驱动；而该预驱动器级由输入缓冲器和电平转换器级所驱动。该预驱动器级包括限流和交叉延迟电路，该电路被夹插在一对互补输出场效应晶体管的漏极之间。该限流和交叉延迟电路限制预驱动器级的瞬间冲击电流；并结合这一对互补输出场效应晶体管及输入缓冲器和电平转换器级，延迟其中一个互补输出场效应晶体管的导通直到另一个互补输出场效应晶体管截止之后，从而防止输出级的交叉传导。

主权项

一种用于功率晶体管开关的驱动器，该驱动器包括：第一个P沟道场效应晶体管，包含栅极、源极和漏极，其中源极被耦合至输出驱动电源VDRIVE；第一个N沟道场效应晶体管，包含栅极、源极和漏极，其中源极被耦合至相对于VDRIVE的地电平，并且其中漏极被耦合至第一个P沟道场效应晶体管的漏极，从而形成能驱动所述功率晶体管开关的互补输出节点；第二个P沟道场效应晶体管，包含栅极、源极和漏极，其中源极和漏极被分别耦合至第一个P沟道场效应晶体管的源极和栅极；第二个N沟道场效应晶体管，包含栅极、源极和漏极，其中源极和漏极被分别耦合至第一个N沟道场效应晶体管的源极和栅极；限流和交叉延迟电路，包含第一节点和第二节点，该电路还包含至少一个电阻器，其中第一节点被耦合至第二个P沟道场效应晶体管的漏极，第二节点被耦合至第二个N沟道场效应晶体管的漏极，以减小从第一节点流向第二节点的电流，从而限制第二个P沟道场效应晶体管和第二个N沟道场效应晶体管在开关转换期间瞬间同时导通时产生的冲击电流，并且在第一个N沟道场效应晶体管截止过程中延迟第一个P沟道场效应晶体管的导通，以及在第一个P沟道场效应晶体管截止过程中延迟第一个N沟道场效应晶体管的导通；输入缓冲器和电平转换器电路，由逻辑电平电源VLOGIC和VDRIVE供电，把外部输入信号缓冲、并从VLOGIC电平转换到VDRIVE电平，并驱动第二个P沟道场效应晶体管的栅极和第二个N沟道场效应晶体管的栅极，并结合限流和交叉延迟电路，在导通第一个N沟道场效应晶体管之前先截止第一个P沟道场效应晶体管以防止交叉导通，并在导通第一个P沟道场效应晶体管之前先截止第一个N沟道场效应晶体管以防止交叉导通。