[发明专利]半导体装置的制造方法以及抗蚀玻璃有效
| 申请号： | 201480082676.8 | 申请日： | 2014-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN107533976B | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 小笠原淳 | 申请（专利权）人： | 新电元工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;C03C3/091;C03C3/093;H01L21/308;H01L21/316;H01L29/868 |
| 代理公司： | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人： | 郁旦蓉 |
| 地址： | 日本国东京都千*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
一种半导体装置的制造方法，包含将形成于半导体基板表面的氧化膜部分去除的氧化膜去除工序，其特征在于：所述氧化膜去除工序包括：第一工序，在不运用光刻工序的情况下在所述氧化膜的上方面上选择性地形成抗蚀玻璃层；第二工序，对所述抗蚀玻璃层进行烧制从而使该抗蚀玻璃层致密化；以及第三工序，以所述抗蚀玻璃层为掩膜将所述氧化膜部分去除，其中，所述抗蚀玻璃层由至少含有SiO |
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| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 以及 玻璃 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，包含将形成于半导体基板表面的氧化膜部分去除的氧化膜去除工序，其特征在于：所述氧化膜去除工序包括：第一工序，在不运用光刻工序的情况下在所述氧化膜的上方面上选择性地形成抗蚀玻璃层；第二工序，对所述抗蚀玻璃层进行烧制从而使该抗蚀玻璃层致密化；以及第三工序，以所述抗蚀玻璃层为掩膜将所述氧化膜部分去除，其中，所述抗蚀玻璃层由至少含有SiO2、B2O3、Al2O3、CaO、MgO、以及BaO中的至少两种碱土类金属氧化物的、并且，实质上不含有Pb、As、Sb、Li、Na、K、Zn的抗蚀玻璃所构成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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