[发明专利]碳化硅外延晶片的制造方法在审
| 申请号： | 201480082708.4 | 申请日： | 2014-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN107078032A | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | 滨野健一;服部亮;中村卓誉 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C30B29/36;G01B11/06;H01L21/20;H01L21/66;C23C16/42 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 何立波,张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种碳化硅外延晶片的制造方法，该碳化硅外延晶片的制造方法能够高精度地形成预定的层厚的多个碳化硅外延层。在本发明中，在n型SiC衬底(1)之上，以使与n型SiC衬底(1)之间的杂质浓度的变化率大于或等于20％的方式形成第一n型SiC外延层(2)。在第一n型SiC外延层(2)之上，以使与第一n型SiC外延层(2)之间的杂质浓度的变化率大于或等于20％的方式形成第二n型SiC外延层(3)。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 外延 晶片 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅外延晶片的制造方法，其特征在于，具有：第1层形成工序，在碳化硅衬底(1)的厚度方向的一侧的表面部通过外延晶体生长而形成第1碳化硅外延层(2、41、51)；第2层形成工序，在所形成的所述第1碳化硅外延层(2、41、51)的厚度方向的一侧的表面部通过外延晶体生长而形成第2碳化硅外延层(3、42、52)；以及测定工序，通过使用了傅立叶变换红外分光光度计的反射干涉解析而对所述第1碳化硅外延层(2、41、51)及所述第2碳化硅外延层(3、42、52)的层厚进行测定，在所述第1层形成工序中，以使所述碳化硅衬底(1)和所述第1碳化硅外延层(2、41、51)之间的杂质浓度的变化率大于或等于20％的方式形成所述第1碳化硅外延层(2、41、51)，在所述第2层形成工序中，以使所述第1碳化硅外延层(2、41、51)和所述第2碳化硅外延层(3、42、52)之间的杂质浓度的变化率大于或等于20％的方式形成所述第2碳化硅外延层(3、42、52)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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