[发明专利]包含非磁性合金的热压变形的磁体及其制造方法在审
| 申请号： | 201480083350.7 | 申请日： | 2014-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN107077935A | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | 南宫锡;朴德海;姜諵锡 | 申请（专利权）人： | LG电子株式会社 |
| 主分类号： | H01F1/053 | 分类号： | H01F1/053;H01F41/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 李辉,刘久亮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的R‑TM‑B热压变形的磁体(这里，R表示选自由Nd、Dy、Pr、Tb、Ho、Sm、Sc、Y、La、Ce、Pm、Eu、Gd、Er、Tm、Yb、Lu及其组合组成的组中的稀土金属，并且TM表示过渡金属)包含平坦型各向异性的磁化晶粒和分布于晶粒之间的边界界面中的非磁性合金，因此，本发明的磁体与现有永磁体相比具有优异的磁屏蔽效果，因为晶粒可以被完全包围在非磁性合金中，使得可以通过更经济的处理来制造具有增强矫顽力的热压变形的磁体。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 磁性 合金 热压 变形 磁体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种R‑TM‑B热压变形的磁体，这里，R意指选自由Nd、Dy、Pr、Tb、Ho、Sm、Sc、Y、La、Ce、Pm、Eu、Gd、Er、Tm、Yb、Lu及其组合组成的组中的稀土金属，并且TM意指过渡金属，所述R‑TM‑B热压变形的磁体包括：(i)各向异性的板状晶粒；以及(ii)分布于所述晶粒的界面处的非磁性合金。
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