[发明专利]具有缺陷减少的Ⅲ族氮化物结构的集成电路管芯以及与其相关联的方法有效
| 申请号： | 201480083474.5 | 申请日： | 2014-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN107004706B | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | S·达斯古普塔;H·W·田;M·拉多萨夫列维奇;S·K·加德纳;S·H·宋;R·S·周;R·皮拉里塞泰 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/318;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开内容的实施例涉及集成电路(IC)管芯。在实施例中，IC管芯可以包括半导体基板和设置在半导体基板之上的缓冲层。缓冲层可以具有形成在其中的多个开口。在实施例中，管芯还可以包括多个Ⅲ族氮化物结构。多个Ⅲ族氮化物结构中的个体Ⅲ族氮化物结构可以包括设置在多个开口中的相应的开口中的下部和设置在相应的开口之上的上部。在实施例中，上部可以包括在缓冲层的表面之上从相应的开口的侧壁径向延伸以形成围绕相应的开口的外围的基底。可以描述和/或要求保护其它实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 缺陷 减少 氮化物 结构 集成电路 管芯 以及 与其 相关 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路(IC)管芯，包括：半导体基板；缓冲层，所述缓冲层设置在所述半导体基板之上，所述缓冲层具有形成在其中的多个开口；以及多个Ⅲ族氮化物结构，其中，所述多个Ⅲ族氮化物结构中的个体Ⅲ族氮化物结构包括设置在所述多个开口中的相应的开口中的下部和设置在所述相应的开口之上的上部，所述上部包括在所述缓冲层的表面之上从所述相应的开口的侧壁径向延伸以形成围绕所述相应的开口的外围的基底。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201480083474.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
