[发明专利]包括局部丝状沟道的电阻性存储器单元、包括其的器件、以及制造其的方法

摘要

描述了电阻性存储器单元。在一些实施例中，电阻性存储器单元包括切换层，该切换层具有内部区域，一个或多个丝状体形成在内部区域中。在一些实例中，丝状体仅形成在切换层的内部区域内。还描述了制造这样的电阻性存储器单元和器件的方法。

主权项

一种形成电阻性存储器单元的方法，包括：形成第一电极；在所述第一电极上形成具有总宽度W的切换层前体，所述切换层前体包括第一侧和第二侧；在所述切换层前体上形成第二电极；以及对所述切换层前体进行处理以形成内部区域以及与所述内部区域相邻的第一外部区域和第二外部区域，其中，在所述处理之后：所述内部区域包括亚化学计量氧化物，所述亚化学计量氧化物包括多个氧空位；所述内部区域具有小于所述切换层的所述总宽度W的宽度W1；并且所述第一外部区域和所述第二外部区域均包括大体上化学计量的氧化物；执行形成过程以形成切换层，所述切换层包括至少一个丝状体，其中，所述至少一个丝状体仅存在于所述内部区域的所述宽度W1内。