[发明专利]形成具有侧壁衬垫的鳍状物结构的装置和方法在审
| 申请号： | 201480083578.6 | 申请日： | 2014-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN107004710A | 公开（公告）日： | 2017-08-01 |
| 发明（设计）人： | W·拉赫马迪;M·V·梅茨;C·S·莫哈帕特拉;G·杜威;J·T·卡瓦列罗斯;A·S·默西;N·M·拉哈尔-乌拉比;T·加尼;G·A·格拉斯 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 林金朝,王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施例包括设置在衬底上的外延子鳍状物结构，其中子鳍状物结构的第一部分设置在衬底的一部分内，并且子鳍状物结构的第二部分设置成与电介质材料相邻。鳍状物器件结构设置在子鳍状物结构上，其中鳍状物器件结构包括外延材料。衬垫设置在子鳍状物结构的第二部分和电介质材料之间。本文描述了其它实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 具有 侧壁 衬垫 鳍状物 结构 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种微电子器件结构，包括：设置在衬底的一部分内的外延材料的第一部分；设置成与电介质材料相邻的所述外延材料的第二部分，其中，衬垫材料设置在所述电介质材料和所述第二部分之间；设置在所述第二部分上的所述外延材料的第三部分，其中，所述第三部分包括鳍状物器件结构；设置在所述鳍状物器件结构上的栅极氧化物；以及设置在所述栅极氧化物上的栅极材料。
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